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著者 (4件)：
資料名：
巻： 186 号： 1/2 ページ： 8-12 発行年： 1998年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902127059671148
整理番号：98A0386066
Naフラックス中で成長させたGaN単結晶の形態と特性評価
Morphology and characterization of GaN single crystals grown in a Na flux.
YAMANE H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHIMADA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SEKIGUCHI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
DISALVO F J
(Cornell Univ., New York, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 186 号： 1/2 ページ： 8-12 発行年： 1998年03月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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