文献
J-GLOBAL ID:200902127152294249
整理番号:01A0767560
MgドープGaNにおける水素の格子位置
Lattice location of hydrogen in Mg doped GaN.
著者 (6件):
WAMPLER W R
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
MYERS S M
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
WRIGHT A F
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
BARBOUR J C
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
SEAGER C H
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
HAN J
(Sandia National Lab., New Mexico)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
90
号:
1
ページ:
108-117
発行年:
2001年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)