文献
J-GLOBAL ID:200902127554218840
整理番号:95A0236669
マイクロ波励起有機金属気相エピタクシーによるGaAs(111),GaP(111)基板上のInN膜の成長
Growth of InN films on GaAs(111) and GaP(111) substrates by microwave-excited metalorganic vapor phase epitaxy.
著者 (4件):
GUO Q
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
OGAWA H
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
YAMANO H
(Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
,
YOSHIDA A
(Toyohashi Univ. Technology, Toyohashi, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
66
号:
6
ページ:
715-717
発行年:
1995年02月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)