文献
J-GLOBAL ID:200902128153363380
整理番号:99A0506924
非線形光学デバイスのためのGaAs(100)と(111)基板上のGaAs/Ge/GaAs副格子反転エピタクシー
GaAs/Ge/GaAs Sublattice Reversal Epitaxy on GaAs (100) and (111) Substrates for Nonlinear Optical Devices.
著者 (8件):
KOH S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KONDO T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
EBIHARA M
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ISHIWADA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAWADA H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ICHINOSE H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHOJI I
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ITO R
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
38
号:
5A
ページ:
L508-L511
発行年:
1999年05月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)