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著者 (8件)：
資料名：
巻： 75 号： 9 ページ： 1276-1278 発行年： 1999年08月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902128351909992
整理番号：99A0866136
有機金属化学蒸着によって成長させたGaNホモエピタキシャル層
GaN homoepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
LESZCZYNSKI M
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
BEAUMONT B
(CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA)
,
FRAYSSINET E
(Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA)
,
KNAP W
(Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA)
,
PRYSTAWKO P
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
SUSKI T
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
GRZEGORY I
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
,
POROWSKI S
(High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 9 ページ： 1276-1278 発行年： 1999年08月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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