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著者 (2件)：
資料名：
巻： 35 号： 12B ページ： 6648-6651 発行年： 1996年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902128786382457
整理番号：97A0262660
陽極酸化による単結晶Siミクロ構造の製作
Fabrication of Single-Crystal Si Microstructures by Anodization.
HIGA K
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
,
ASANO T
(Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 12B ページ： 6648-6651 発行年： 1996年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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