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資料名：
巻： 76 号： 19 ページ： 2701-2703 発行年： 2000年05月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902129260208270
整理番号：00A0547265
Si(111)基板上の選択領域成長GaNピラミッドにおける欠陥構造
Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate.
TANAKA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KAWAGUCHI Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HIBINO M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 76 号： 19 ページ： 2701-2703 発行年： 2000年05月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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