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文献
J-GLOBAL ID:200902129260208270   整理番号:00A0547265

Si(111)基板上の選択領域成長GaNピラミッドにおける欠陥構造

Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate.
著者 (5件):
TANAKA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
KAWAGUCHI Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
HIBINO M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 76  号: 19  ページ: 2701-2703  発行年: 2000年05月08日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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