文献
J-GLOBAL ID:200902129316537221
整理番号:97A0419304
高成長速度で析出された装置品質の水素化アモルファスけい素薄膜
Device quality hydrogenated amorphous silicon films deposited at high growth rates.
著者 (3件):
DAS D
(Indian Assoc. Cultivation of Sci., Calcutta, IND)
,
SHARMA S N
(Indian Assoc. Cultivation of Sci., Calcutta, IND)
,
BANERJEE R
(Indian Assoc. Cultivation of Sci., Calcutta, IND)
資料名:
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻:
211
号:
3
ページ:
229-236
発行年:
1997年04月
JST資料番号:
D0642A
ISSN:
0022-3093
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)