文献
J-GLOBAL ID:200902129426094740
整理番号:00A1061776
750°CのNa-Ga融液と5MPaの窒素からのGaN単結晶成長
Growth of GaN single crystals from a Na-Ga melt at 750°C and 5MPa of N2.
著者 (8件):
AOKI M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YAMANE H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHIMADA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SEKIGUCHI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
HANADA T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YAO T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SARAYAMA S
(Ricoh Co. Ltd., JPN)
,
DISALVO F J
(Cornell Univ., NY, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
218
号:
1
ページ:
7-12
発行年:
2000年09月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)