文献
J-GLOBAL ID:200902129453725558
整理番号:01A0683875
電界ストップIGBT(FS IGBT) 大きな改善可能性を持った新しい電力用素子の概念
The Field Stop IGBT(FS IGBT). A New Power Device Concept with a Great Improvement Potential.
著者 (5件):
LASKA T
(Infineon Technol., Muenchen)
,
MUENZER M
(Eupec, Warstein)
,
PFIRSCH F
(Infineon Technol., Muenchen)
,
SCHAEFFER C
(Infineon Technol. EZM, Villach)
,
SCHMIDT T
(Infineon Technol. OHG, Villach)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
12th
ページ:
355-358
発行年:
2000年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)