文献
J-GLOBAL ID:200902129541410222
整理番号:96A0711752
Cu1ヘキサフルオロアセチルアセトナトトリメチルビニルシランからの超LSI用の銅の化学蒸着
Chemical vapor deposition of copper from CuI hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane for ultralarge scale integration applications.
著者 (9件):
BRAECKELMANN G
(Univ. at Albany-SUNY, New York)
,
MANGER D
(Univ. at Albany-SUNY, New York)
,
BURKE A
(Univ. at Albany-SUNY, New York)
,
PETERSON G G
(Univ. at Albany-SUNY, New York)
,
KALOYEROS A E
(Univ. at Albany-SUNY, New York)
,
REIDSEMA C
(SEMATECH, Texas)
,
OMSTEAD T R
(CVC Products Inc., New York)
,
LOAN J F
(MKS Instruments Inc., Massachusetts)
,
SULLIVAN J J
(MKS Instruments Inc., Massachusetts)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
14
号:
3
ページ:
1828-1836
発行年:
1996年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)