文献
J-GLOBAL ID:200902129728899330
整理番号:95A0757036
イオンビーム合成の多結晶半導体FeSi2の光吸収研究
Optical absorption study of ion beam synthesized polycrystalline semiconducting FeSi2.
著者 (5件):
YANG Z
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
HOMEWOOD K P
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
FINNEY M S
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
HARRY M A
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
,
REESON K J
(Univ. Surrey, Surrey, GBR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
78
号:
3
ページ:
1958-1963
発行年:
1995年08月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)