文献
J-GLOBAL ID:200902131033705262
整理番号:94A0429541
斜め角衝撃によるSiO2-イオンをモニタリングしたGaAs中のSiのSIMS分析の改善法
A method of improving the SIMS analysis of Si in GaAs by monitoring SiO2- ions at oblique angles of bombardment.
著者 (4件):
SHARMA V K M
(Imperial Coll., London, GBR)
,
MCPHAIL D S
(Imperial Coll., London, GBR)
,
HSU C M
(Imperial Coll., London, GBR)
,
FAHY M R
(Imperial Coll., London, GBR)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
85
号:
1/4
ページ:
391-394
発行年:
1994年03月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)