文献
J-GLOBAL ID:200902131049137744
整理番号:98A0684832
(311)A波形表面上のInAsの分子線エピタキシャル成長 成長機構と形態
Molecular beam epitaxial growth of InAs on a (311)A corrugated surface: Growth mechanism and morphology.
著者 (5件):
LUBYSHEV D I
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
MICOVIC M
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
MILLER D L
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
CHIZHOV I
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
,
WILLIS R F
(Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
16
号:
3
ページ:
1339-1342
発行年:
1998年05月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)