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著者 (4件)：
資料名：
巻： 69 号： 7 ページ： 1011-1013 発行年： 1996年08月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902131318317126
整理番号：96A0764353
エピタキシャル成長YMnO3膜 不揮発性メモリ素子の新しい候補
Epitaxially grown YMnO3 film: New candidate for nonvolatile memory devices.
FUJIMURA N
(Univ. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
,
ISHIDA T
(Univ. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
,
YOSHIMURA T
(Univ. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
,
ITO T
(Univ. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 7 ページ： 1011-1013 発行年： 1996年08月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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