文献
J-GLOBAL ID:200902131666869990
整理番号:93A0238124
In situ bulk lifetime measurement on silicon with a chemically passivated surface.
著者 (3件):
HORANYI T S
(SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN)
,
PAVELKA T
(SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN)
,
TUETTOE P
(SEMILAB Semiconductor Physics Lab. RT, Budapest, HUN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
63
号:
1/4
ページ:
306-311
発行年:
1993年01月
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)