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著者 (4件)：
資料名：
巻： 36 号： 21 ページ： 1816-1818 発行年： 2000年10月12日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902131689216144
整理番号：01A0138907
(111)Si基板上にMOCVDで成長させたGaNのMESFET
GaN MESFETs on (111)Si substrate grown by MOCVD.
EGAWA T
(Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN)
,
ISHIKAWA H
(Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN)
,
NAKADA N
(Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 36 号： 21 ページ： 1816-1818 発行年： 2000年10月12日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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