文献
J-GLOBAL ID:200902132170590010
整理番号:97A0501322
クリーンルーム雰囲気中のガス状の汚染による水素終端Si表面上の自然酸化物の厚さの増加
The Increase of the Native Oxide Thickness on H-Terminated Si Surfaces by Gaseous Contamination in a Clean Room Atmosphere.
著者 (4件):
ITOGA T
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOJIMA H
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
YUGAMI J
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHKURA M
(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
36
号:
3B
ページ:
1578-1581
発行年:
1997年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)