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著者 (4件)：
資料名：
巻： 2994 ページ： 52-59 発行年： 1997年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902132447672028
整理番号：97A0881259
低圧MO-VPEによる(0001)6H-SiC基質での(BAIGa)N第四系およびエピタキシャル成長
(BAlGa)N quaternary system and epitaxial growth on(0001)6H-SiC substrate by low-pressure MO-VPE.
KAWANISHI H
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
HARUYAMA M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
SHIRAI T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
SUEMATSU Y
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 2994 ページ： 52-59 発行年： 1997年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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