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資料名：
巻： 74 号： 8 ページ： 1111-1113 発行年： 1999年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902132621436754
整理番号：99A0341395
GaAs基板上に成長させたIn0.2Ga0.8Asによって被覆された歪誘起InAs量子ドットからの1.35μmにおける21meVの狭い光ルミネセンス線幅
A narrow photoluminescence linewidth of 21meV at 1.35μm from strain-reduced InAs quantum dots covered by In0.2Ga0.8As grown on GaAs substrates.
NISHI K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SAITO H
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
SUGOU S
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
LEE J-S
(Tsukuba Res. Consortium, Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 74 号： 8 ページ： 1111-1113 発行年： 1999年02月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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