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著者 (6件)：
資料名：
巻： 143 号： 3 ページ： 977-983 発行年： 1996年03月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902133105423340
整理番号：96A0406511
化学蒸着法で成長させた非晶質および多結晶Ta2O5皮膜の漏洩電流機構
Leakage Current Mechanism of Amorphous and Polycrystalline Ta2O5 Films Grown by Chemical Vapor Deposition.
AOYAMA T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
SAIDA S
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OKAYAMA Y
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
FUJISAKI M
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
IMAI K
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ARIKADO T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 143 号： 3 ページ： 977-983 発行年： 1996年03月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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