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資料名：
巻： 40 号： 5B ページ： L485-L487 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902133111695107
整理番号：01A0694074
GaNをベースにした強磁性希薄磁性半導体の材料設計
Material Design of GaN-Based Ferromagnetic Diluted Magnetic Semiconductors.
SATO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KATAYAMA-YOSHIDA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 5B ページ： L485-L487 発行年： 2001年05月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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