文献
J-GLOBAL ID:200902133156160913
整理番号:02A0847378
Snをドープした層状半導体のp-(Bi1-xSbx)2Te3における54Tまでの磁場域におけるHall抵抗と磁気抵抗の量子振動及びエネルギースペクトル
Quantum oscillations of Hall resistance, magnetoresistance in a magnetic field up to 54 T and the energy spectrum of Sn doped layered semiconductors p-(Bi1-xSbx)2Te3.
著者 (9件):
KULBACHINSKII V A
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
KAMINSKY A YU
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
LUNIN R A
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
KINDO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAWASAKI S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SASAKI M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
MIYAJIMA N
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
LOSTAK P
(Univ. Pardubice, Pardubice, CZE)
,
HAJEK P
(Univ. Pardubice, Pardubice, CZE)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
17
号:
10
ページ:
1133-1140
発行年:
2002年10月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)