文献
J-GLOBAL ID:200902133693084581
整理番号:96A0576099
ホモエピタキシアルに成長したダイヤモンド(001)膜に生成したShottky障壁の電気的特性
Electrical properties of a Schottky barrier formed on a homoepitaxially grown diamond (001) film.
著者 (5件):
KIYOTA H
(Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN)
,
OKUSHI H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ANDO T
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
KAMO M
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
SATO Y
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
資料名:
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻:
5
号:
6/8
ページ:
718-722
発行年:
1996年05月
JST資料番号:
W0498A
ISSN:
0925-9635
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)