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文献
J-GLOBAL ID:200902134432018367   整理番号:96A0798438

GaNヘテロ接合電界効果トランジスタで実現した非常に高いブレークダウン電圧と大きい相互コンダクタンス

Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors.
著者 (7件):
WU Y-F
(Univ. California, California)
KELLER B P
(Univ. California, California)
KELLER S
(Univ. California, California)
KAPOLNEK D
(Univ. California, California)
KOZODOY P
(Univ. California, California)
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
MISHRA U K
(Univ. California, California)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 69  号: 10  ページ: 1438-1440  発行年: 1996年09月02日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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