文献
J-GLOBAL ID:200902134535187060
整理番号:02A0521531
GaAs1-xBix系半導体アロイの特性
Characteristics of Semiconductor Alloy GaAs1-xBix.
著者 (1件):
OE K
(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
41
号:
5A
ページ:
2801-2806
発行年:
2002年05月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)