文献
J-GLOBAL ID:200902134589581235
整理番号:95A0924753
AlN/Al2O3基板上のSiC膜のヘテロエピタキシャル成長
Heteroepitaxial growth of SiC films on AlN/Al2O3 substrates.
著者 (6件):
KUZNETSOV A N
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, SUN)
,
LEBEDEV A A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, SUN)
,
RASTEGAEVA M G
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, SUN)
,
ROGACHEV N A
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, SUN)
,
TERUKOV E I
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, SUN)
,
SHCHEGLOV M P
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, SUN)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
29
号:
8
ページ:
740-742
発行年:
1995年08月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)