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資料名：
巻： 257 号： 1/2 ページ： 148-154 発行年： 1996年07月19日
JST資料番号： B0824A ISSN： 0009-2614 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902134617531150
整理番号：96A0719211
Si(100)面からのSTM誘起H原子脱着 同位体効果と部位選択性
STM-induced H atom desorption from Si(100): isotope effects and site selectivity.
AVOURIS P
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
WALKUP R E
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
ROSSI A R
(IBM Res. Div., NY, USA)
,
SHEN T-C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)
,
ABELN G C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)
,
TUCKER J R
(Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)
,
LYDING J W
(Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)
資料名：
Chemical Physics Letters
(Chemical Physics Letters)
巻： 257 号： 1/2 ページ： 148-154 発行年： 1996年07月19日
JST資料番号： B0824A ISSN： 0009-2614 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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