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文献
J-GLOBAL ID:200902134617531150   整理番号:96A0719211

Si(100)面からのSTM誘起H原子脱着 同位体効果と部位選択性

STM-induced H atom desorption from Si(100): isotope effects and site selectivity.
著者 (7件):
AVOURIS P
(IBM Res. Div., NY, USA)
WALKUP R E
(IBM Res. Div., NY, USA)
ROSSI A R
(IBM Res. Div., NY, USA)
SHEN T-C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)
ABELN G C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)
TUCKER J R
(Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)
LYDING J W
(Univ. Illinois at Urbana-Champaigne, IL, USA)

資料名:
Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)

巻: 257  号: 1/2  ページ: 148-154  発行年: 1996年07月19日 
JST資料番号: B0824A  ISSN: 0009-2614  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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