文献
J-GLOBAL ID:200902134646491612
整理番号:99A0390434
1800V三重注入縦型6H-SiC MOSFET
An 1800V Triple Implanted Vertical 6H-SiC MOSFET.
著者 (6件):
PETERS D
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
,
SCHOERNER R
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
,
FRIEDRICHS P
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
,
VOELKL J
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
,
MITLEHNER H
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
,
STEPHANI D
(Siemens AG, Erlangen, DEU)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
46
号:
3
ページ:
542-545
発行年:
1999年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)