文献
J-GLOBAL ID:200902134681759440
整理番号:02A0239689
Excitonic Emissions in ZnTe/GaAs Films Grown by Hot-Wall Epitaxy.
著者 (6件):
SETO S
(Ishikawa National Coll. Technol., Ishikawa, JPN)
,
MOCHIDA N
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
INABE K
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
SUZUKI K
(Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN)
,
KURODA T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MINAMI F
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻:
229
号:
1
ページ:
587-590
発行年:
2002年01月01日
JST資料番号:
C0599A
ISSN:
0370-1972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)