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著者 (5件)：
資料名：
巻： 66 号： 20 ページ： 2694-2696 発行年： 1995年05月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902134797364795
整理番号：95A0518317
GaxI1-xP横方向量子井戸の成長に対する基板誤配向の効果
Effect of substrate misorientation on the growth of GaxIn1-xP lateral quantum wells.
CHEN A C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
MOY A M
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
CHOU L J
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
HSIEH K C
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
CHENG K Y
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 66 号： 20 ページ： 2694-2696 発行年： 1995年05月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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