文献
J-GLOBAL ID:200902135011219556
整理番号:96A0646024
分子ビームエピタクシーにより成長させたGaNからの基底及び励起状態の励起子スペクトル
Ground and excited state exciton spectra from GaN grown by molecular-beam epitaxy.
著者 (8件):
REYNOLDS D C
(Wright State Univ., Ohio)
,
LOOK D C
(Wright State Univ., Ohio)
,
KIM W
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
AKTAS OE
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
BOTCHKAREV A
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
SALVADOR A
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
MORKOC H
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, Illinois)
,
TALWAR D N
(Wright Lab., Ohio)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
80
号:
1
ページ:
594-596
発行年:
1996年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)