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著者 (6件)：
資料名：
巻： 41 号： 8 ページ： 5284-5287 発行年： 2002年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902135399659218
整理番号：02A0698066
陽極酸化により作製したHfO2絶縁薄膜の電気的性質
Electrical Properties of HfO2 Thin Insulating Film Prepared by Anodic Oxidation.
YANAGISAWA H
(Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
,
KAMIJYO M
(Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
,
SHINKAI S
(Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
,
SASAKI K
(Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
,
ABE Y
(Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
,
YAMANE M
(Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 8 ページ： 5284-5287 発行年： 2002年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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