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著者 (6件)：
資料名：
巻： 13 号： 3 ページ： 459-465 発行年： 2000年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902135685898270
整理番号：00A0692965
VUVリソグラフィー用ポリ(α-メチル-p-ヒドロキシスチレン-co-メタクリロニトリル)ベースの単一層レジスト I 合成,物性及び光化学
Poly(α-methyl-p-hydroxystyrene-co-methacrylonitrile) Based Single-Layer Resists for VUV Lithography: (1) Synthesis, Properties and Photochemistry.
SHIRAI M
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
KATAOKA A
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
SHINOZUKA T
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
TSUNOOKA M
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
KISHIMURA S
(Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
,
SASAGO M
(Matsushita Electronics Corp., Kyoto, JPN)
資料名：
Journal of Photopolymer Science and Technology
(Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 13 号： 3 ページ： 459-465 発行年： 2000年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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