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著者 (6件)：
資料名：
巻： 225 号： 1 ページ： 59-66 発行年： 2001年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902135710150790
整理番号：01A0621086
液相線領域の移動法による均一なIn0.3Ga0.7Asの結晶成長
Homogeneous In0.3Ga0.7As crystal growth by the traveling liquidus-zone method.
KINOSHITA K
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
,
KATO H
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
,
IWAI M
(Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
TSURU T
(Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MURAMATSU Y
(Advanced Engineering Serv. Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
,
YODA S
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 225 号： 1 ページ： 59-66 発行年： 2001年05月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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