文献
J-GLOBAL ID:200902136227571870
整理番号:99A0017775 直線的に傾斜したドーピングプロファイルの順方向電圧降下の低い高電圧溝MOS障壁Schottky整流器
A Low Forward Drop High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier with Linearly Graded Doping Profile.
著者 (2件): MAHALINGAM S
(North Carolina State Univ., NC)
,
BALIGA B J
(North Carolina State Univ., NC)
資料名:
Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998
(Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1998)
ページ:
187-190
発行年:
1998年
JST資料番号:
K19980600
ISBN:
0-7803-4752-8
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)