文献
J-GLOBAL ID:200902136379301402
整理番号:99A0497705
MOCVD法によるBi4Ti3O12薄膜の調製と,金属/強誘電体/絶縁体/半導体構造の電気特性
Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Films by MOCVD Method and Electrical Properties of Metal/Ferroelectric/Insulator/Semicondutor Structure.
著者 (2件):
KIJIMA T
(SHARP Corp., Chiba, JPN)
,
MATSUNAGA H
(SHARP Corp., Chiba, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
38
号:
4B
ページ:
2281-2284
発行年:
1999年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)