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文献
J-GLOBAL ID:200902136465072114   整理番号:03A0004548

けい素メルトからのAcheson種結晶への炭化けい素エピタキシャル層成長

Silicon carbide epitaxial layer growths on Acheson seed crystals from silicon melt.
著者 (5件):
KHAN M N
(Pakistan Inst. Nuclear Sci. and Technol., Islamabad, PAK)
NISHIZAWA S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
KATO T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
KOSUGI R
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
ARAI K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)

資料名:
Materials Letters  (Materials Letters)

巻: 57  号:ページ: 307-314  発行年: 2002年12月 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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