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文献
J-GLOBAL ID:200902136559368947   整理番号:99A0420043

サブ10nmトンネル絶縁膜の微視的SILC特性に対する窒化膜形成のエンジニアリング効果

Impact of Nitridation Engineering on Microscopic SILC Characteristics of Sub-10-nm Tunnel Dielectrics.
著者 (9件):
OGATA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
INOUE M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
NAKAMURA T
(Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., Hyogo, JPN)
TSUJI N
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
KOBAYASHI K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
KUROKAWA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
KANEOKA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
OHNO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
MIYOSHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)

資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

巻: 1998  ページ: 597-600  発行年: 1998年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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