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著者 (9件)：
資料名：
巻： 1998 ページ： 597-600 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902136559368947
整理番号：99A0420043
サブ10nmトンネル絶縁膜の微視的SILC特性に対する窒化膜形成のエンジニアリング効果
Impact of Nitridation Engineering on Microscopic SILC Characteristics of Sub-10-nm Tunnel Dielectrics.
OGATA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
INOUE M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NAKAMURA T
(Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUJI N
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KOBAYASHI K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROKAWA H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KANEOKA T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
OHNO Y
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MIYOSHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1998 ページ： 597-600 発行年： 1998年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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