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著者 (5件)：
資料名：
巻： 36 号： 5A ページ： L532-L535 発行年： 1997年05月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902136907582915
整理番号：97A0565992
有機金属気相エピタクシーによるパターンのある基板上のGaNとAl0.2Ga0.8Nの成長
Growth of GaN and Al0.2Ga0.8N on Patterened Substrates via Organometallic Vapor Phase Epitaxy.
NAM O-H
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
BREMSER M D
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
WARD B L
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
NEMANICH R J
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
DAVIS R F
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36 号： 5A ページ： L532-L535 発行年： 1997年05月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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