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著者 (5件)：
資料名：
巻： 148 号： 1/4 ページ： 925-929 発行年： 1999年01月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902137042263750
整理番号：99A0289282
真空マイクロエレクトロニクスデバイスのための窒化ニオブ薄膜のイオンビーム支援蒸着
Ion beam assisted deposition of niobium nitride thin films for vacuum microelectronics devices.
GOTOH Y
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NAGAO M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
URA T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TSUJI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ISHIKAWA J
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 148 号： 1/4 ページ： 925-929 発行年： 1999年01月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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