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著者 (4件)：
資料名：
巻： 227/228 ページ： 183-192 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902137210635740
整理番号：01A0690567
GaAs/Ge/GaAs副格子反転エピタクシーおよび非線形光学デバイスへのその応用
GaAs/Ge/GaAs sublattice reversal epitaxy and its application to nonlinear optical devices.
KOH S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KONDO T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIRAKI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ITO R
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 227/228 ページ： 183-192 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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