文献
J-GLOBAL ID:200902137256588649
整理番号:99A0866124
走査型熱顕微鏡を用いた横方向エピタキシャル被覆成長GaN/サファイア(0001)の高空間分解能熱伝導率の測定
High spatial resolution thermal conductivity of lateral epitaxial overgrown GaN/sapphire (0001) using a scanning thermal microscope.
著者 (5件):
ASNIN V M
(City Univ. New York, New York)
,
POLLAK F H
(City Univ. New York, New York)
,
RAMER J
(EMCORE Corp., New Jersey)
,
SCHURMAN M
(EMCORE Corp., New Jersey)
,
FERGUSON I
(EMCORE Corp., New Jersey)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
75
号:
9
ページ:
1240-1242
発行年:
1999年08月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)