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著者 (4件)：
資料名：
巻： 22 号： 8 ページ： 373-375 発行年： 2001年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902137458316004
整理番号：02A0036180
高電圧パワースイッチング用途のRESURF AlGaN/GaN HEMT
RESURF AlGaN/GaN HEMT for High Voltage Power Switching.
KARMALKAR S
(Indian Inst. Technol., Madras, IND)
,
DENG J
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
SHUR M S
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
,
GASKA R
(Sensor Electronic Technol.,Inc., NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 22 号： 8 ページ： 373-375 発行年： 2001年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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