文献
J-GLOBAL ID:200902137510877052
整理番号:97A0819915
Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As MODFETの基板としてのGaAs上の組成勾配付きバッファ
Compositionally graded buffers on GaAs as substrates for Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As MODFETs.
著者 (6件):
FINK T
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik(IAF), Freiburg, DEU)
,
HAUPT M
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik(IAF), Freiburg, DEU)
,
KAUFEL G
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik(IAF), Freiburg, DEU)
,
KOEHLER K
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik(IAF), Freiburg, DEU)
,
BRAUNSTEIN J
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik(IAF), Freiburg, DEU)
,
MASSLER H
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik(IAF), Freiburg, DEU)
資料名:
Institute of Physics Conference Series
(Institute of Physics Conference Series)
号:
155
ページ:
589-592
発行年:
1997年
JST資料番号:
E0403B
ISSN:
0305-2346
CODEN:
IPHSAC
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)