文献
J-GLOBAL ID:200902137709847411
整理番号:02A0127147
Transmission Electron Microscope Analysis of Microstructures in GaN Grown on (111)A and (111)B of GaAs by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor-Phase Epitaxy.
著者 (7件):
MITATE T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SONODA Y
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
OKI K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KUWANO N
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
KUMAGAI Y
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MURAKAMI H
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
,
KOUKITU A
(Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
188
号:
2
ページ:
557-560
発行年:
2001年11月23日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)