文献
J-GLOBAL ID:200902137737352681
整理番号:99A0053927
自立したHVPE成長GaN基板の調製と特性
Preparation and properties of free-standing HVPE grown GaN substrates.
著者 (5件):
KIM S T
(Taejon National Univ. Technol., Taejon, KOR)
,
LEE Y J
(Taejon National Univ. Technol., Taejon, KOR)
,
MOON D C
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
HONG C H
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
,
YOO T K
(LG Corporate Inst. Technol., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
194
号:
1
ページ:
37-42
発行年:
1998年11月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)