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資料名：
巻： 69 号： 27 ページ： 4188-4190 発行年： 1996年12月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902137917821019
整理番号：97A0257048
InGaN単一および多重量子井戸構造における局在励起子の自然放出
Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures.
CHICHIBU S
(Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
AZUHATA T
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
SOTA T
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA S
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 69 号： 27 ページ： 4188-4190 発行年： 1996年12月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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