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文献
J-GLOBAL ID:200902138258248701   整理番号:96A0656384

高温の電力エレクトロニクスに応用する6H-SiC UMOS FET及びIGBTの設計とシミュレーション

Design and simulation of 6H-SiC UMOS FET and IGBT for high-temperature power electronics applications.
著者 (7件):
RAMUNGUL N
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.)
TYAGI R
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.)
BHALLA A
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.)
CHOW T P
(Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.)
GHEZZO M
(General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.)
KRETCHMER J
(General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.)
HENNESSY W
(General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.)

資料名:
Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)

号: 142  ページ: 773-776  発行年: 1996年 
JST資料番号: E0403B  ISSN: 0305-2346  CODEN: IPHSAC  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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