文献
J-GLOBAL ID:200902138555733309
整理番号:96A0053156
ホモエピタキシャル成長ダイヤモンド(111)膜の成長表面と酸化表面に形成させたSchottky障壁の電気的性質
Electrical properties of Schottky barrier formed on as-grown and oxidized surface of homoepitaxially grown diamond (001) film.
著者 (8件):
KIYOTA H
(Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN)
,
MATSUSHIMA E
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SATO K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
OKUSHI H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ANDO T
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
KAMO M
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
SATO Y
(National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
,
IIDA M
(Tokai Univ., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
67
号:
24
ページ:
3596-3598
発行年:
1995年12月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)